A Samsung anunciou, nesta quarta-feira (19), o desenvolvimento da primeira memória DRAM GDDR7 do mercado. Projetado para desbloquear a próxima geração de desempenho gráfico, o novo padrão de chip traz melhorias significativas em relação ao antecessor, o GDDR6, lançado em 2022. Com uma largura de banda de 1,5 TB/s, a DRAM GDDR7, 1,4x maior do que a GDDR6, a nova memória tem velocidade de transferência de informação de até 32 Gb/s por pino. Enquanto isso, a geração anterior operava a 24 Gb/s.
Além disso, a nova GDDR7 apresenta uma eficiência energética 20% maior do que a GDDR6. Tais avanços não apenas fornecem um desempenho de ponta, mas também visam a expandir as capacidades em aplicações para inteligência artificial (IA), computação de alto desempenho (HPC) e veículos automotivos.
Para atingir a nova largura de banda de 1,5 Tb/s, a GDDR7 da Samsung usa o método de sinalização Pulse Amplitude Modulation (PAM3), em vez do Non Return to Zero (NRZ) das gerações anteriores. De acordo com a fabricante, o PAM3 permite a transmissão de 50% mais dados do que o NRZ no mesmo ciclo de sinalização.
Além disso, para ajudar a minimizar a geração de calor, um composto de moldagem epóxi com alta condutividade térmica foi usado para o material de embalagem, além da otimização da arquitetura do circuito integrado do chip. Estas melhorias ajudam a reduzir drasticamente a resistência térmica da GDDR7 em 70% se comparada com a GDDR6, garantindo um desempenho estável mesmo em condições de alta velocidade.
A Samsung planeja iniciar a verificação do GDDR7 em sistemas de próxima geração de clientes-chave ainda este ano, e os primeiros produtos a utilizar a nova memória GDDR7 podem chegar ao mercado ainda em 2023. Mais informações sobre este lançamento e as parcerias envolvidas serão divulgadas pela fabricante nos próximos meses.
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